陳某乃第201620169331.2號實用新型專利之專利權人，專利名稱為「鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結構」。2020年7月15日，A公司對上述專利權提出無效宣告請求，中國大陸國知局最後宣告系爭專利權有效。A公司不服，向一審法院提起訴訟，請求撤銷被訴決定，判令中國大陸國知局重新作出決定。

一審法院之後作出駁回A公司的訴訟請求。A公司提出上訴，最高人民法院知識產權法庭撤銷一審法院之行政判決及中國大陸國知局之無效宣告審查決定，且命中國大陸國知局就A公司對系爭專利無效宣告之請求重新作出審查決定。

最高人民法院知識產權法庭認為，技術領域的確定，應當以權利要求所限定的內容為准，一般根據專利的主題名稱，結合技術方案所實現的技術功能、用途加以確定。相近的技術領域一般指與實用新型專利產品功能以及具體用途相近的領域，相關的技術領域一般指實用新型專利與最接近的現有技術的區別技術特徵所應用的功能領域。

系爭專利權利要求1是關於一種鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結構，旨在解決現有技術中單層金屬的鋁柵CMOS工藝設計的產品集成度低的問題。為解決上述問題，系爭專利權利要求1採取的技術手段主要是：將現有的單層鋁柵CMOS金屬布線結構的壓焊點（輸入和輸出PAD、電源和地端PAD）作為第二層金屬結構設置於第一金屬層金屬結構上，即設置到鋁柵CMOS結構上，提高鋁柵CMOS集成度。了解判斷系爭專利權利要求1版圖結構的創造性，一審判決及被訴決定基於矽柵和鋁柵的柵極材料不同，均認為矽柵CMOS積體電路和鋁柵CMOS積體電路屬不同技術領域，進而認定二者的技術方案實質上並不相同，系爭專利權利要求1具備創造性。系爭專利權利要求1與證據1、2、3、5、6、7的區別技術特徵在於，證據1、2、3、5、6、7公開的均是矽柵CMOS金屬布線結構，並無公開任何涉及「鋁柵」的內容。在半導體工業的早期，金屬鋁一般被用作CMOS的柵極材料，此後矽被廣泛運用於柵極材料。儘管柵極材料從鋁到矽的發展確實是半導體器件的改進，但鋁柵與矽柵的區別對於本專利所採取的雙層金屬布線版圖結構的技術方案無實質影響，柵極材料的選擇不應視為對系爭專利具有技術貢獻。
　　
因此，系爭專利與矽柵CMOS雙層金屬布線結構功能相同、用途相近，提高CMOS集成度的原理基本相同，可將矽柵CMOS雙層金屬布線結構視為系爭專利的相同或相近技術領域。被訴決定和一審判決在評價系爭專利的創造性時，未考慮矽柵CMOS雙層金屬佈線結構，屬於適用法律錯誤。

資料來源：实用新型专利创造性判断中对相近、相关技术领域的确定，中國最高人民法院知識產權法庭，2024年10月11日。
<https://ipc.court.gov.cn/zh-cn/news/view-3515.html>